氮化硅材料的九大产品特性
一、组成与结构
氮化硅的分子式为Si3N4,属于共价键化合物。氮化硅陶瓷属于多晶材料,其晶体结构属于六方晶系。一般分为α、β两种晶体取向均由[SiN4]4-四面体组成,β-Si3N4对称性高,摩尔体积小,在相对温度下是热力学稳定相,而α-Si3N4相对容易动态形成。在高温下(1400℃~1800℃),α相会发生相变,成为β型,这种相变是不可逆的,因此α相有利于烧结。
二、外观
不同晶相得到的氮化硅外观不同,α-Si3N4为白色或灰白色疏松羊毛状或针状体,β-”Si3N4颜色较深,呈致密粒状多面体或短棱柱体。氮化硅陶瓷的晶须呈透明或半透明状,外观呈灰色、蓝灰色至灰黑色,随密度和相比的不同而变化,也因添加剂而呈现其他颜色。氮化硅陶瓷抛光后表面具有金属光泽。
三、密度和比重
氮化硅的理论密度为3100±10kg/m3,实际测得α-Si3N4的真比重为3184kg/m3,β-Si3N4的真比重为3187kg/m3。氮化硅陶瓷的堆积密度根据工艺的不同变化很大,一般在理论密度的80%以上,范围在2200~3200kg/m3左右。密度差异的主要原因是孔隙率。反应烧结氮化硅的孔隙率一般在20%左右,密度为2200~2600kg/m3,而热压氮化硅的孔隙率在5%以下,密度为3000~3200kg/m3,与其他类似用途的材料相比,不仅密度低于所有高温合金,而且也是高温结构陶瓷中密度较低的之一。
四、电气绝缘
氮化硅陶瓷可用作高温绝缘材料,其性能指标主要取决于合成方法和纯度。材料中未氮化的游离硅,以及制备过程中带入的碱金属、碱土金属、铁、钛、镍等杂质,都会使氮化硅陶瓷的电性能恶化。一般氮化硅陶瓷在室温干燥介质中的比电阻为1015~1016欧姆,介电常数为9.4~9.5。在高温下,氮化硅陶瓷仍保持较高的比电阻值。随着工艺条件的改进,氮化硅可以进入常用电介质的行列。
五、热性能
烧结氮化硅的热膨胀系数低,为2.53×10-6/℃,导热系数为18.42W/m·K,具有良好的抗热震性能,仅次于石英和微晶玻璃。据实验报道,密度为2500kg/m3的反应烧结氮化硅样品已从1200℃冷却到20℃,经过数千次热循环,仍然不破裂。氮化硅陶瓷具有良好的热稳定性,可以在高温下长期使用。在氧化气氛中使用温度可达1400℃,在中性或还原气氛中使用温度可达1850℃。
六、机械性能
氮化硅具有较高的机械强度。一般热压制品的弯曲强度为500~700MPa,高强度可达1000~1200MPa;反应烧结后的弯曲强度为200MPa,高强度可达300~400MPa。反应烧结制品的室温强度虽然不高,但在1200~1350℃的高温下其强度并不下降。氮化硅的高温蠕变小。例如,反应烧结氮化硅在1200℃时的载荷为24MPa,1000h后变形为0.5%。
七、摩擦系数及自润滑性
氮化硅陶瓷的摩擦系数较小,在高温、高速条件下,摩擦系数的增加也较小,可以保证机构的正常工作。这是氮化硅陶瓷的一个突出优点。当氮化硅陶瓷开始磨损时,滑动摩擦系数达到1.0~1.5。经过精密研磨后,摩擦系数大大降低,保持在0.5以下。因此,氮化硅陶瓷被认为具有自润滑性能。与石墨、氮化硼和滑石不同,这种自润滑的主要原因在于材料结构的层状结构。在压力作用下,摩擦表面轻微分解,形成一层薄薄的气膜,从而减小摩擦表面之间的滑动阻力,增加摩擦表面的光滑度。这样摩擦力越大,阻力越小,磨损量也特别小。材料经过连续摩擦后,由于表面磨损或因温度升高而软化,其摩擦系数往往会逐渐增大。
八、切削加工性
氮化硅陶瓷可以通过机械加工达到所需的形状、精度和表面光洁度。
九、化学稳定性
氮化硅具有良好的化学性能,能耐除氢氟酸和小于25%的氢氧化钠溶液以外的所有无机酸的腐蚀。其抗氧化温度可达1400℃,在还原性气氛中使用温度可达1870℃。对金属(特别是铝液)不沾湿,对非金属更是如此。
从氮化硅陶瓷的上述理化性能可以看出,氮化硅陶瓷的良好性能对于现代技术中经常遇到的高温、高速、强腐蚀介质的工作环境具有特殊的应用价值。 。其突出优点是:
其有以下几点:
(1)机械强度高,硬度接近刚玉。热压氮化硅的室温弯曲强度可高达780-980MPa,有的甚至比合金钢更高,并且强度可以保持到1200℃而不退化。
(2)机械自润滑、表面摩擦系数低、耐磨、弹性模量高、耐高温。
(3)热膨胀系数低,导热系数高,抗热震性能好。
(4)密度低、比重低。
(5)耐腐蚀、抗氧化。
(6)电绝缘性好。